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型号:
时间: 2018 - 12 - 14
▼设备特点l 大束流、长寿命AI离子源l 高能量等梯度静电加速器实现高能注入l 双向偏转扫描系统配合角度校正,实现宽束平行束注入l 热偶晶片温度测量实时监控注入温度l 在线均匀性检测与实时校正控制,保证注入剂量均匀性与准确性l 装片方式:①手动装卸,批装载,单片注入,高效,高性能;②真空锁标准片盒装载,真空机械手传输,连续单片注入▼技术指标l 晶片尺寸:4”~6”l 注入元素:AI、B、P、Nl 最大能量:单电荷350KEV;双电荷700KEVl 束流:AI+/1000μA;AI++/200μA;B+/1200μA;P+/1500μA;N+/500μAl 均匀性指标:1σ≤1%l 重复性指标:1σ≤1%l 注入晶片温度:500℃;△T30℃▼应用范围用于SiC基材的高压电力及大功率器件和GaAs基材的微波功率器件制造工艺中的掺杂注入。
产品名称: 特种离子注入机
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 离子注入各类丰富l 注入工艺温度范围大,从液氮低温到高温可选l 多工位,一次装载可完成多种注入l 可靠笥高,可长时间注入▼技术指标l 注入元素:非金属H+、N+、O+、Ar+、He+、Si+等;金属:Ni+、Zr+、Mo+、Fe+、Au+l 注入能量:10~360KEVl 注入温度:最高600℃l 注入均匀性:1σ≤3%▼应用范围材料的电学或者其他材料特性的改性或其他特殊应用。
产品名称: 中束离子注入机
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 大束流、长寿命离子源l 等梯度静电加速/减速器实现宽范围能量注入l 双向偏转扫描系统配合角度校正,实现宽束平行束注入l 在线均匀性检测与实时校正控制,保证注入剂量均匀性与准确性▼技术指标l 离子源寿命:≥300hl 离子能量:5-900KEVl 注入倾斜角度:0°~60°,≤±0.25°l 靶盘旋转定向调节范围:0°~360°,≤±0.25l 束平行性误差:±0.2°l 注片方式:单圆片注入l 注入剂量均匀性(1σ):≤0.5%l 注入剂量重复性(1σ):≤0.5%l 晶片尺寸:4”-8”▼应用范围用于4-8英寸分立器件及集成电路制造工艺中掺杂注入。
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