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型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 水平卧式炉管,恒温区长,温度稳定l 悬臂承舟,运动无摩擦,减少粉尘污染l 拉舟外延,定位精度高l 裸管降温,降温速度快l 工业计算机全过程控制,操作自动化程度高,工艺重复性好l 模块化设计,便于维修l 保护功能齐全,冷却功能完善▼技术指标l 石英管工作口径:65、80、100、120、150mm等多种可选l 最高炉温:700、800、900、1000、1100℃等多种可选l 恒温区精度:≤±0.5℃(静态动态)l 恒温区长度:300、400、500、600mml 降温跟踪精度:≤0.1℃l 真空度:装样室极限压力:≤4Pal 反应室极限压力:≤1.0E-4Pa▼适用范围液相外延设备(LPE)适用于Ⅲ-Ⅴ族(或Ⅱ-Ⅵ族)化合物材料的生长。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼ 设备特点l 温度控制采用串级控制方式,对基片实际温度进行实时智能控制l 装载采用SiC悬臂桨,避免了与工艺管摩擦产生粉尘l 反应气体分子送气和族射送气,避免气相应产生粉尘和改善均匀性l 工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和重复性▼ 技术指标l 基片尺寸:φ100mm、φ150mm、φ200mm或φ100mm、φ150mml 工作温度:500~900℃l 工艺管路:1~3管l 恒温区长度:600mm,800mml 控温精度:±1℃l 极限真空度:l 膜厚均匀性:Si3N4:±3%;Poly-Si:4%;TEOS-SiO2:±5%l 泄漏率:工艺管抽真空,关阀后升压率▼ 应用范围低压化学气相沉积设备(LPCVD)用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 手动装片,控制微机对工艺过程自动控制(可选配自动装卸片)l 体积小操作灵活l 具有良好的工艺性能,使用范围广泛▼技术指标l 晶片尺寸:最大8”(可兼容小片)l 温度:50℃~400℃连续可调l 温度精度:±1℃l 真空系统:干泵系统(可选配分子泵系统)l 工作压力:30Pa~300Pa可调l 系统漏气率:l RF电源:13.56MHz,0~500w连续可调,可选配双频电源l 膜厚均匀性:片内≤±3%,片间≤±3%,批间≤±4%▼ 应用范围平板式等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池等行业氮化硅(SiXNy)或氧化硅(SixOy)薄膜的制备。
产品名称: SiC外延设备
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 内置式电磁感应加热,升降温速度快l 基片气浮行星旋转运动,温度,外延膜均匀性好l 三层水平层流送气,气流均匀性好l 喷淋头水冷,预反应小l 手套箱装取片,反应室内洁净度高▼技术指标l 晶片尺寸:4”~6”l 最高温度:1700℃l 控温精度 :±1℃l 极限真空:优于3Pal 压力稳定性:100~1000mbarl 反应室漏气率:1E~10Pa .m3/Sl 工艺气体:SiH4、C3H8、N2、TMAIl 载气:Ar、H2▼ 应用范围SiC外延设备用于SBD、MOSFET和BJT等高功率器件的SiC外延片的制造。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 三区电阻加热器:各温区独立控温,最高温度1400℃l 特殊格栅式喷头,提供源利用率,延长反应腔清洗周期l 源气V/Ⅲ比可调节范围为1~10000l 高温原位监测系统:可实时监测和分析外延生长速率、衬底表面温度(450-1700℃),翘曲度等l 自动衬底装载/卸载系统:包括层流罩、传输hub和双层缓存室 ▼技术指标基片温度:普通型450~1200℃,高温型450~1500℃控温精度:±1℃升温速度:≥3℃/s温度均匀性:±1℃漏气率:≤1E-8PaL/s均匀性:优于±3%▼应用范围金属有机化合物化学气相沉积设备(MOCVD)用于GaN系第3代半导体材料的外延生长和蓝光或紫外发光二极近芯片的制造。
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