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产品名称: 真空退火炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 外观美观、占地面积小l 采用高精度、多功能温控仪,可自动调节与修改PID参数,存储控温曲线并随时修改、删除以及重新设定、制作简单方便l 具备多项故障显示,报警及连锁保护功能l 炉体可以移动摊位,以加速低温段的降温 ▼技术指标l 适用工艺片尺寸:2-8英寸圆片或方片l 常用工作温度:400-110℃l 恒温区长度及精度:≤±1℃/300mm(800℃~1100℃);≤±1.5℃/300mm(400℃~800℃)l 最大升温速率:10℃/minl 极限真空度:≤5×10-3Pal 气路系统:氧气、氮气、氩气、2路备用气 ▼应用范围真空退火炉用于半导体芯片(薄膜电阻等)烧结及退火处理,永磁合金制造、真空钎焊、真空除气、金属材料的无氧化光亮热处理等工艺。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化。l 具有友好的人机界面,用户可以方便的修改工艺参数,并可随时显示各种工艺状态l 具有多种工艺管路,可供用户方便选择l 具有强大的软件功能,配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间l 恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度l 具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能l 可根据用户要求定制产品▼技术指标l 适用晶片尺寸:2-8英寸圆片l 工作温度:600℃~1250℃l 可配工艺管数量:1-4管/台l 恒温区长度及精度:≤±0.5℃/300~800mm(800℃~1250℃)l 单点温度稳定性:≤±0.5℃/24h(1100℃)l 温度斜变能力:最大升温速率20℃/min,最大降温速率5℃/min▼应用范围用于半导体器件、集成电路制造过程中扩散、氧化、退火及合金工艺。
产品名称: SiC高温氧化炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼技术指标l 最大适应基片尺寸:φ150mml 最大载片量:25片/批l 典型工艺温度:900℃~1350℃l 加热方式:非金属电阻加热l 恒温区温度均匀性:≤±2℃l 控温精度:±1℃/24h
产品名称: SiC高温退火炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼技术指标 最大适应基片尺寸:φ150mm最大载片量:25片/批典型工艺温度:1000℃~1900℃恒温区温度均匀性:≤±5℃控温精度:±1℃/24h极限真空:≤0.2pa
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