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时间: 2018 - 12 - 16
离子束刻蚀是利用离子束直接轰击工件,将工件上的材料溅射出来,实现材料去除的目的。离子束刻蚀是纯物理刻蚀过程,在各种常规刻蚀方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特点。应用于在基板表面抛光或材料的去除,尤其适用于金属材料薄膜的刻蚀,如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。▉扫描式离子束刻蚀机▼设备特点l “In-line”连续工作l 刻蚀速率稳定、均匀性、重复性好l 离子源灯丝法兰可拆卸,维护效率高l 扫描式小车可为客户提供多种刻蚀角度(00~300) ▼技术指标适用晶片尺寸:4”~8”,兼容不规则方片刻蚀均匀性:片内5%,片间3%
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时间: 2018 - 12 - 16
磁控溅射系统分多靶共焦、集群式、扫描式,共同特点:l 具有多个溅射靶,可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜;l 电源配置可选:直流、射频、直流脉冲。▉扫描式磁控溅射系统▼设备特点l “In-lilne”连续工作l 适用基片范围广,兼容不规则基片l 专利技术长方形阴极靶,膜层均匀性好,靶材利用率高l 具有“Target lifetime”记录功能▼技术指标l 基片盘尺寸:300×300mml 膜厚均匀性:≤5%;选配修正组件,膜厚均匀性可达1%~3%l 膜厚重复性:≤5%▼应用领域扫描式磁控溅射系统应用于光电金属互连、陶瓷基板互连布线、通孔种子层、欧姆接触、3D先进封装布线互连等领域。
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磁控溅射系统分多靶共焦、集群式、扫描式,共同特点:l 具有多个溅射靶,可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜;l 电源配置可选:直流、射频、直流脉冲。▉集群式磁控溅射系统▼设备特点l “Cluster tool”连续式在线工作方式l 专利技术圆形阴极靶,膜层均匀性好,靶材利用率高l 具有“Target lifetime”记录功能l 溅射布局:自下而上、自上而下溅射可选l 可选SMIF组件l 可选配基片台高低温控制,适用特殊薄膜制备▼技术指标l 基片尺寸:4~8英寸l 膜厚均匀性:≤3%l 膜厚重复性:≤5%▼应用领域集群式磁控溅射系统应用于半导体硅基器件金属互连、红外器件钝化、金属薄膜电阻、MEWMS欧姆接触、3D先进封装布线互连等领域。
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时间: 2018 - 12 - 16
磁控溅射系统分多靶共焦、集群式、扫描式,共同特点:l 具有多个溅射靶,可沉积单层、多层薄膜、合金薄膜和掺杂薄膜;l 电源配置可选:直流、射频、直流脉冲。▉多靶共焦磁控溅射台▼设备特点l 溅射靶角度可调节l 溅射布局:自下而上溅射、自上而下溅射可选l 基片台可加热,可制备单晶薄膜l 可选配辅助清洗离子源,有效提高薄膜的附着力l 具有小靶材溅射基片的特点▼技术指标l 靶材数量:3个l 基片尺寸:2~8英寸l 基片台转速:5~30rpm,转速连续可调
产品名称: 离子束沉积系统
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时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 具备“Load-lock”功能l 专利离子源技术,大束流、高稳定、维护方便l 束流自整定闭环控制、工艺一致性、重复性好l 多靶材自动选择l 基片台高低温(-25~150℃)控制,适用于特殊薄膜制备l 具备基片清洗和辅助沉积功能▼技术指标l 离子源:1500eV(MAX),500mA(MAX)l 溅射靶:一靶四位或三位,自动旋转换位l 基片台:8”,转速0~30rpm可调l 膜厚均匀性:≤3%l 膜厚重复性:≤5%▼ 应用范围离子束沉积系统用于平面基片表面镀制各种金属、非金属、化合物等薄膜材料。如AI、Cu、Au、Pt、Ti、Ni、W、NiCr、TiW、SiO2、AI2O3、ZnO、TaN、ITO等薄膜。适用于光学薄膜制备、欧姆接触制备、功能薄膜材料制备。
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时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 水平卧式炉管,恒温区长,温度稳定l 悬臂承舟,运动无摩擦,减少粉尘污染l 拉舟外延,定位精度高l 裸管降温,降温速度快l 工业计算机全过程控制,操作自动化程度高,工艺重复性好l 模块化设计,便于维修l 保护功能齐全,冷却功能完善▼技术指标l 石英管工作口径:65、80、100、120、150mm等多种可选l 最高炉温:700、800、900、1000、1100℃等多种可选l 恒温区精度:≤±0.5℃(静态动态)l 恒温区长度:300、400、500、600mml 降温跟踪精度:≤0.1℃l 真空度:装样室极限压力:≤4Pal 反应室极限压力:≤1.0E-4Pa▼适用范围液相外延设备(LPE)适用于Ⅲ-Ⅴ族(或Ⅱ-Ⅵ族)化合物材料的生长。
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时间: 2018 - 12 - 16
▼ 设备特点l 温度控制采用串级控制方式,对基片实际温度进行实时智能控制l 装载采用SiC悬臂桨,避免了与工艺管摩擦产生粉尘l 反应气体分子送气和族射送气,避免气相应产生粉尘和改善均匀性l 工作压力闭环自动控制,提高工艺稳定性和重复性▼ 技术指标l 基片尺寸:φ100mm、φ150mm、φ200mm或φ100mm、φ150mml 工作温度:500~900℃l 工艺管路:1~3管l 恒温区长度:600mm,800mml 控温精度:±1℃l 极限真空度:l 膜厚均匀性:Si3N4:±3%;Poly-Si:4%;TEOS-SiO2:±5%l 泄漏率:工艺管抽真空,关阀后升压率▼ 应用范围低压化学气相沉积设备(LPCVD)用于半导体器件、电力电子器件、光电子等行业氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制备。
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时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 手动装片,控制微机对工艺过程自动控制(可选配自动装卸片)l 体积小操作灵活l 具有良好的工艺性能,使用范围广泛▼技术指标l 晶片尺寸:最大8”(可兼容小片)l 温度:50℃~400℃连续可调l 温度精度:±1℃l 真空系统:干泵系统(可选配分子泵系统)l 工作压力:30Pa~300Pa可调l 系统漏气率:l RF电源:13.56MHz,0~500w连续可调,可选配双频电源l 膜厚均匀性:片内≤±3%,片间≤±3%,批间≤±4%▼ 应用范围平板式等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD)用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池等行业氮化硅(SiXNy)或氧化硅(SixOy)薄膜的制备。
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