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产品名称: SiC外延设备
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 内置式电磁感应加热,升降温速度快l 基片气浮行星旋转运动,温度,外延膜均匀性好l 三层水平层流送气,气流均匀性好l 喷淋头水冷,预反应小l 手套箱装取片,反应室内洁净度高▼技术指标l 晶片尺寸:4”~6”l 最高温度:1700℃l 控温精度 :±1℃l 极限真空:优于3Pal 压力稳定性:100~1000mbarl 反应室漏气率:1E~10Pa .m3/Sl 工艺气体:SiH4、C3H8、N2、TMAIl 载气:Ar、H2▼ 应用范围SiC外延设备用于SBD、MOSFET和BJT等高功率器件的SiC外延片的制造。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 三区电阻加热器:各温区独立控温,最高温度1400℃l 特殊格栅式喷头,提供源利用率,延长反应腔清洗周期l 源气V/Ⅲ比可调节范围为1~10000l 高温原位监测系统:可实时监测和分析外延生长速率、衬底表面温度(450-1700℃),翘曲度等l 自动衬底装载/卸载系统:包括层流罩、传输hub和双层缓存室 ▼技术指标基片温度:普通型450~1200℃,高温型450~1500℃控温精度:±1℃升温速度:≥3℃/s温度均匀性:±1℃漏气率:≤1E-8PaL/s均匀性:优于±3%▼应用范围金属有机化合物化学气相沉积设备(MOCVD)用于GaN系第3代半导体材料的外延生长和蓝光或紫外发光二极近芯片的制造。
产品名称: 真空退火炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 外观美观、占地面积小l 采用高精度、多功能温控仪,可自动调节与修改PID参数,存储控温曲线并随时修改、删除以及重新设定、制作简单方便l 具备多项故障显示,报警及连锁保护功能l 炉体可以移动摊位,以加速低温段的降温 ▼技术指标l 适用工艺片尺寸:2-8英寸圆片或方片l 常用工作温度:400-110℃l 恒温区长度及精度:≤±1℃/300mm(800℃~1100℃);≤±1.5℃/300mm(400℃~800℃)l 最大升温速率:10℃/minl 极限真空度:≤5×10-3Pal 气路系统:氧气、氮气、氩气、2路备用气 ▼应用范围真空退火炉用于半导体芯片(薄膜电阻等)烧结及退火处理,永磁合金制造、真空钎焊、真空除气、金属材料的无氧化光亮热处理等工艺。
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化。l 具有友好的人机界面,用户可以方便的修改工艺参数,并可随时显示各种工艺状态l 具有多种工艺管路,可供用户方便选择l 具有强大的软件功能,配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间l 恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度l 具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能l 可根据用户要求定制产品▼技术指标l 适用晶片尺寸:2-8英寸圆片l 工作温度:600℃~1250℃l 可配工艺管数量:1-4管/台l 恒温区长度及精度:≤±0.5℃/300~800mm(800℃~1250℃)l 单点温度稳定性:≤±0.5℃/24h(1100℃)l 温度斜变能力:最大升温速率20℃/min,最大降温速率5℃/min▼应用范围用于半导体器件、集成电路制造过程中扩散、氧化、退火及合金工艺。
产品名称: SiC高温氧化炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼技术指标l 最大适应基片尺寸:φ150mml 最大载片量:25片/批l 典型工艺温度:900℃~1350℃l 加热方式:非金属电阻加热l 恒温区温度均匀性:≤±2℃l 控温精度:±1℃/24h
产品名称: SiC高温退火炉
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼技术指标 最大适应基片尺寸:φ150mm最大载片量:25片/批典型工艺温度:1000℃~1900℃恒温区温度均匀性:≤±5℃控温精度:±1℃/24h极限真空:≤0.2pa
产品名称: 特种离子注入机
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 离子注入各类丰富l 注入工艺温度范围大,从液氮低温到高温可选l 多工位,一次装载可完成多种注入l 可靠笥高,可长时间注入▼技术指标l 注入元素:非金属H+、N+、O+、Ar+、He+、Si+等;金属:Ni+、Zr+、Mo+、Fe+、Au+l 注入能量:10~360KEVl 注入温度:最高600℃l 注入均匀性:1σ≤3%▼应用范围材料的电学或者其他材料特性的改性或其他特殊应用。
产品名称: 中束离子注入机
型号:
时间: 2018 - 12 - 16
▼设备特点l 大束流、长寿命离子源l 等梯度静电加速/减速器实现宽范围能量注入l 双向偏转扫描系统配合角度校正,实现宽束平行束注入l 在线均匀性检测与实时校正控制,保证注入剂量均匀性与准确性▼技术指标l 离子源寿命:≥300hl 离子能量:5-900KEVl 注入倾斜角度:0°~60°,≤±0.25°l 靶盘旋转定向调节范围:0°~360°,≤±0.25l 束平行性误差:±0.2°l 注片方式:单圆片注入l 注入剂量均匀性(1σ):≤0.5%l 注入剂量重复性(1σ):≤0.5%l 晶片尺寸:4”-8”▼应用范围用于4-8英寸分立器件及集成电路制造工艺中掺杂注入。
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